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| Numero di parte | STSJ100NHS3LL |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC-EP |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC
Disponibile: 0
