Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati RN1905,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage RN1905,LF(CT

Numero di parte
RN1905,LF(CT
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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In stock 15000 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.02536/pcs
  • 3,000 pcs

    0.02536/pcs
  • 6,000 pcs

    0.02205/pcs
  • 15,000 pcs

    0.01875/pcs
  • 30,000 pcs

    0.01764/pcs
  • 75,000 pcs

    0.01654/pcs
  • 150,000 pcs

    0.01470/pcs
Totale:0.02536/pcs Unit Price:
0.02536/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte RN1905,LF(CT
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore US6
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