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| Numero di parte | TPC8208(TE12L,Q) |
|---|---|
| Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.5A, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 10V |
| Potenza - Max | 450mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8
Disponibile: 0
