ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IXTP2N65X2

IXYS IXTP2N65X2

部品番号
IXTP2N65X2
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
IXYS

IXYS

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1.05500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IXTP2N65X2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 4.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 180pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 55W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.3 Ohm @ 1A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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