ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IXTY1R4N60P

IXYS IXTY1R4N60P

部品番号
IXTY1R4N60P
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
IXYS

IXYS

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    0.37145/pcs
  • 1,000 pcs

    0.29325/pcs
合計:0.65500/pcs Unit Price:
0.65500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IXTY1R4N60P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.4A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 25µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 5.2nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 140pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 50W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 9 Ohm @ 700mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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