ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ SI7900AEDN-T1-GE3

Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-GE3

部品番号
SI7900AEDN-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 SI7900AEDN-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 900mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 16nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
電力 - 最大 1.5W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8 Dual
関連製品
SI7900AEDN-T1-E3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

在庫あり: 27000

RFQ 0.37730/pcs
SI7900AEDN-T1-GE3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

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