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| Número da peça | SI7900AEDN-T1-GE3 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 1.5W |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Em estoque: 27000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Em estoque: 0
