ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SQ2362ES-T1_GE3

Vishay Siliconix SQ2362ES-T1_GE3

部品番号
SQ2362ES-T1_GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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製品パラメータ
部品番号 SQ2362ES-T1_GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.3A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 12nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 550pF @ 30V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 95 mOhm @ 4.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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