제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 SQ2362ES-T1_GE3

Vishay Siliconix SQ2362ES-T1_GE3

부품 번호
SQ2362ES-T1_GE3
제조사
Vishay Siliconix
기술
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

재고 있음 22500 pcs
  • 참고 가격

    (미국 달러화)
  • 1 pcs

    0.10230/pcs
  • 3,000 pcs

    0.10230/pcs
합계:0.10230/pcs Unit Price:
0.10230/pcs
목표 주가:
수량:
제품 매개 변수
부품 번호 SQ2362ES-T1_GE3
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 550pF @ 30V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 3W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 4.5A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
관련 상품
SQ2360EES-T1-GE3

제조사: Vishay Siliconix

기술: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

재고: 0

RFQ -
SQ2361AEES-T1_GE3

제조사: Vishay Siliconix

기술: MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

재고: 0

RFQ 0.11253/pcs
SQ2361EES-T1-GE3

제조사: Vishay Siliconix

기술: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

재고: 0

RFQ -
SQ2361ES-T1_GE3

제조사: Vishay Siliconix

기술: MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

재고: 6000

RFQ 0.11253/pcs
SQ2362ES-T1_GE3

제조사: Vishay Siliconix

기술: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

재고: 9000

RFQ 0.10230/pcs