제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF AT-42010

Broadcom Limited AT-42010

부품 번호
AT-42010
제조사
Broadcom Limited
기술
TRANS NPN BIPO 12V 80MA 100-SMD
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Broadcom Limited

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제품 매개 변수
부품 번호 AT-42010
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 12V
빈도 - 전환 8GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
이득 10dB ~ 13.5dB
전력 - 최대 600mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 35mA, 8V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 80mA
작동 온도 200°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 4-SMD (100 mil)
공급 업체 장치 패키지 -
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