제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF NE68139R-T1

CEL NE68139R-T1

부품 번호
NE68139R-T1
제조사
CEL
기술
TRANS NPN 1GHZ SOT-143R
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
CEL California Eastern Labs

CEL California Eastern Labs

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제품 매개 변수
부품 번호 NE68139R-T1
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 10V
빈도 - 전환 9GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
이득 13.5dB
전력 - 최대 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 7mA, 3V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 65mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-143R
공급 업체 장치 패키지 SOT-143R
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