제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 MMBT5551-7-F

Diodes Incorporated MMBT5551-7-F

부품 번호
MMBT5551-7-F
제조사
Diodes Incorporated
기술
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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제품 매개 변수
부품 번호 MMBT5551-7-F
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 600mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 160V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
전력 - 최대 300mW
빈도 - 전환 300MHz
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 SOT-23-3
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