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| 부품 번호 | GA05JT03-46 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | - |
| 과학 기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 300V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| Vgs (최대) | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 20W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 5A |
| 작동 온도 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-46 |
| 패키지 / 케이스 | TO-46-3 |
