제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF BF799WE6327BTSA1

Infineon Technologies BF799WE6327BTSA1

부품 번호
BF799WE6327BTSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
TRANSISTOR NPN RF 20V SOT-323
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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제품 매개 변수
부품 번호 BF799WE6327BTSA1
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 20V
빈도 - 전환 800MHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 3dB @ 100MHz
이득 -
전력 - 최대 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 35mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
공급 업체 장치 패키지 PG-SOT323-3
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