제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF BFP193WE6327HTSA1

Infineon Technologies BFP193WE6327HTSA1

부품 번호
BFP193WE6327HTSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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제품 매개 변수
부품 번호 BFP193WE6327HTSA1
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 12V
빈도 - 전환 8GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득 13.5dB ~ 20.5dB
전력 - 최대 580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 80mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343
공급 업체 장치 패키지 PG-SOT343-4
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