제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF BFP540FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies BFP540FESDH6327XTSA1

부품 번호
BFP540FESDH6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
TRANS RF NPN 5V 80MA 4TSFP
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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재고 있음 7500 pcs
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    (미국 달러화)
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    0.10153/pcs
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  • 15,000 pcs

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  • 30,000 pcs

    0.08384/pcs
합계:0.10153/pcs Unit Price:
0.10153/pcs
목표 주가:
수량:
제품 매개 변수
부품 번호 BFP540FESDH6327XTSA1
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 5V
빈도 - 전환 30GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
이득 20dB
전력 - 최대 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 3.5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 80mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 4-SMD, Flat Leads
공급 업체 장치 패키지 4-TSFP
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