제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF BFP843FH6327XTSA1

Infineon Technologies BFP843FH6327XTSA1

부품 번호
BFP843FH6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
TRANSISTOR RF NPN AMP TSFP-4-1
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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수량:
제품 매개 변수
부품 번호 BFP843FH6327XTSA1
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 2.25V
빈도 - 전환 -
잡음 지수 (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz
이득 13.5dB ~ 25dB
전력 - 최대 125mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 150 @ 15mA, 1.8V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 55mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 4-SMD, Flat Leads
공급 업체 장치 패키지 TSFP-4-1
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제조사: Infineon Technologies

기술: TRANSISTOR RF NPN AMP TSFP-4-1

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