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| 부품 번호 | IPB011N04L G |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 180A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 200µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 346nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 29000pF @ 20V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 250W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.1 mOhm @ 100A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
