제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 IXTT3N200P3HV

IXYS IXTT3N200P3HV

부품 번호
IXTT3N200P3HV
제조사
IXYS
기술
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
IXYS

IXYS

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재고 있음 150 pcs
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20.35000/pcs
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제품 매개 변수
부품 번호 IXTT3N200P3HV
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 2000V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 70nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1860pF @ 25V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 520W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 1.5A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 TO-268
패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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