집 제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF JTDB75

Microsemi Corporation JTDB75

부품 번호
JTDB75
제조사
Microsemi Corporation
기술
TRANS RF BIPO 220W 8A 55AW1
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

재고 있음 107 pcs

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 수량:
제품 매개 변수
부품 번호 JTDB75
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 55V
빈도 - 전환 960MHz ~ 1.215GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) -
이득 7dB ~ 8.2dB
전력 - 최대 220W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 8A
작동 온도 200°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 55AW
공급 업체 장치 패키지 55AW
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