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| 부품 번호 | NCV5104DR2G |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Synchronous |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 전압 - 공급 | 10 V ~ 20 V |
| 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 2.3V |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 250mA, 500mA |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 600V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 85ns, 35ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급 업체 장치 패키지 | 8-SOIC |
