제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF NSVMMBTH10LT1G

ON Semiconductor NSVMMBTH10LT1G

부품 번호
NSVMMBTH10LT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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제품 매개 변수
부품 번호 NSVMMBTH10LT1G
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 25V
빈도 - 전환 650MHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) -
이득 -
전력 - 최대 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) -
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 SOT-23
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