제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 NSVMSB1218A-RT1G

ON Semiconductor NSVMSB1218A-RT1G

부품 번호
NSVMSB1218A-RT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
TRANS PNP BIPOLAR SOT323-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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제품 매개 변수
부품 번호 NSVMSB1218A-RT1G
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 PNP
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 45V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 210 @ 2mA, 10V
전력 - 최대 150mW
빈도 - 전환 -
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
공급 업체 장치 패키지 SC-70-3 (SOT323)
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