제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - IGBT - 단일 RJH60V1BDPP-M0#T2

Renesas Electronics America RJH60V1BDPP-M0#T2

부품 번호
RJH60V1BDPP-M0#T2
제조사
Renesas Electronics America
기술
IGBT 600V 16A 30W TO-220FL
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - IGBT - 단일
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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제품 매개 변수
부품 번호 RJH60V1BDPP-M0#T2
부품 상태 Active
IGBT 형 Trench
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 16A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) -
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 8A
전력 - 최대 30W
스위칭 에너지 17µJ (on), 110µJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 차지 19nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 30ns/55ns
시험 조건 300V, 8A, 5 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) 25ns
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
공급 업체 장치 패키지 TO-220FL
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