제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - IGBT - 단일 RJP65T43DPQ-A0#T2

Renesas Electronics America RJP65T43DPQ-A0#T2

부품 번호
RJP65T43DPQ-A0#T2
제조사
Renesas Electronics America
기술
IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - IGBT - 단일
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

재고 있음 6276 pcs
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    (미국 달러화)
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    2.11000/pcs
  • 10 pcs

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  • 25 pcs

    1.69500/pcs
  • 100 pcs

    1.54440/pcs
  • 250 pcs

    1.39374/pcs
  • 500 pcs

    1.25060/pcs
  • 1,000 pcs

    1.05472/pcs
합계:2.11000/pcs Unit Price:
2.11000/pcs
목표 주가:
수량:
제품 매개 변수
부품 번호 RJP65T43DPQ-A0#T2
부품 상태 Active
IGBT 형 Trench
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 60A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) -
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A
전력 - 최대 150W
스위칭 에너지 170µJ (on), 130µJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 차지 69nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 35ns/105ns
시험 조건 400V, 20A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) -
작동 온도 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 TO-247A
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