부품 번호 | RS1G120MNTB |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 40V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12A (Ta) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 570pF @ 20V |
Vgs (최대) | ±20V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 16.2 mOhm @ 12A, 10V |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | 8-HSOP |
패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: DIODE SW 1A 400V DO-214AC
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: DIODE SW 1A 400V DO-214AC
재고: 0