STMicroelectronics SCT30N120

부품 번호: SCT30N120
제조사: STMicroelectronics
기술: MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
무연 여부 / RoHS 준수 여부: Lead free / RoHS Compliant
가족: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

STMicroelectronics

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재고 있음 902 pcs

참고 가격
(미국 달러화)
1 pcs
14.75500/pcs
10 pcs
13.60800/pcs
100 pcs
11.62040/pcs

합계:14.75500/pcs

Unit Price:

14.75500/pcs

목표 주가:

수량:

제품 매개 변수

부품 번호	SCT30N120
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	20V
Vgs (th) (최대) @ Id	2.6V @ 1mA (Typ)
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	105nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1700pF @ 400V
Vgs (최대)	+25V, -10V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	270W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 20A, 20V
작동 온도	-55°C ~ 200°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	HiP247™
패키지 / 케이스	TO-247-3