제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 TPS1120DR

Texas Instruments TPS1120DR

부품 번호
TPS1120DR
제조사
Texas Instruments
기술
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
Texas Instruments

Texas Instruments

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제품 매개 변수
부품 번호 TPS1120DR
부품 상태 Active
FET 유형 2 P-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 15V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 5.45nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds -
전력 - 최대 840mW
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 8-SOIC
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