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부품 번호 | SSM6P35FE,LM |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
FET 기능 | Standard |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100mA |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 50mA, 4V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 12.2pF @ 3V |
전력 - 최대 | 150mW |
작동 온도 | 150°C |
실장 형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
공급 업체 장치 패키지 | ES6 |
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
재고: 0
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
재고: 4000
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
재고: 0
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
재고: 0
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
재고: 4000
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
재고: 12000