Número da peça | FDMQ8203 |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 100V, 80V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3.4A, 2.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 50V |
Power - Max | 2.5W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 12-WDFN Exposed Pad |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 12-MLP (5x4.5) |