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| Número da peça | FQI8N60CTU |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 600V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1255pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | I2PAK (TO-262) |
| Pacote / Caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Em estoque: 984
