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Número da peça | 2N7639-GA |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) (155°C) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1534pF @ 35V |
Vgs (Max) | - |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 172W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 15A |
Temperatura de operação | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-257 |
Pacote / Caso | TO-257-3 |