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부품 번호 | 2N7639-GA |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | - |
과학 기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 650V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 15A (Tc) (155°C) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
Vgs (th) (최대) @ Id | - |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1534pF @ 35V |
Vgs (최대) | - |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 172W (Tc) |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 15A |
작동 온도 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
공급 업체 장치 패키지 | TO-257 |
패키지 / 케이스 | TO-257-3 |