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| Número da peça | APT35GP120JDQ2 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo IGBT | PT |
| Configuração | Single |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 64A |
| Power - Max | 284W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 350µA |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 3.24nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | ISOTOP |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE MODULE 1.2KV SOT227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 900V 63A 290W TO-247
Em estoque: 30
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 900V 63A 290W TO247
Em estoque: 82
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 94A 379W TO247
Em estoque: 93
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 94A 379W TO264
Em estoque: 75
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Em estoque: 30
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 96A 543W TO247
Em estoque: 27
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 64A 284W SOT227
Em estoque: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 64A 284W SOT227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227
Em estoque: 0
