Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single PHT6NQ10T,135

Nexperia USA Inc. PHT6NQ10T,135

Número da peça
PHT6NQ10T,135
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descrição
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Nexperia

Nexperia

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Parâmetro do produto
Número da peça PHT6NQ10T,135
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 633pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de operação -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-223
Pacote / Caso TO-261-4, TO-261AA
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