toshiba semiconductor & storage offers a broad range of enabling technology solutions that allow oems, odms, cms and fabless chip companies to develop advanced integrated products for the computing, networking, communications, digital consumer, automotive and other markets.
| Número da peça | TK35E08N1,S1X |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 80V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.2 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220 |
| Pacote / Caso | TO-220-3 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
Em estoque: 0
