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| Artikelnummer | APT10SCD65KCT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 17A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 650V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Auf Lager: 30
