provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT10SCD65KCT |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Diodin kokoonpano | 1 Pair Common Cathode |
| Diodityyppi | Silicon Carbide Schottky |
| Jännite - DC taakse (Vr) (Max) | 650V |
| Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) (diodi) | 17A |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 1.8V @ 10A |
| Nopeus | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Käänteinen palautusaika (trr) | 0ns |
| Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 200µA @ 650V |
| Käyttölämpötila - liitäntä | -55°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-220-3 |
| Toimittajan laitepaketti | TO-220 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Varastossa: 14
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Varastossa: 3
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Varastossa: 7
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Varastossa: 30
