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| Numero di parte | APT10SCD65KCT |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 17A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 650V |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Disponibile: 14
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Disponibile: 3
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Disponibile: 7
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Disponibile: 30
