Artikelnummer | APT70GR120JD60 |
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Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | NPT |
Aufbau | Single |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 112A |
Leistung max | 543W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1.1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 7.26nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | SOT-227-4 |
Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO264
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Auf Lager: 52
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
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