Numero di parte | APT70GR120JD60 |
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Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 112A |
Potenza - Max | 543W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1.1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 7.26nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 160A 961W TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Disponibile: 16
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 160A 961W TO264
Disponibile: 45
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Disponibile: 52
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOSFET - SIC
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOSFET - SIC
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOSFET - SIC
Disponibile: 0