provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT70GR120JD60 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| IGBT-tyyppi | NPT |
| kokoonpano | Single |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 1200V |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 112A |
| Teho - Max | 543W |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 1.1mA |
| Tulo kapasitanssi (Cies) @ Vce | 7.26nF @ 25V |
| panos | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Chassis Mount |
| Pakkaus / kotelo | SOT-227-4 |
| Toimittajan laitepaketti | SOT-227 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 160A 961W TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Varastossa: 16
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 160A 961W TO264
Varastossa: 45
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Varastossa: 52
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOSFET - SIC
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOSFET - SIC
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOSFET - SIC
Varastossa: 0
