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| 部品番号 | 2N7635-GA |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | - |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) (165°C) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 324pF @ 35V |
| Vgs（最大） | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 47W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 415 mOhm @ 4A |
| 動作温度 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-257 |
| パッケージ/ケース | TO-257-3 |
