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| Número da peça | 2N7635-GA |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 650V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) (165°C) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 35V |
| Vgs (Max) | - |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415 mOhm @ 4A |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-257 |
| Pacote / Caso | TO-257-3 |
