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| Artikelnummer | ZXMN10A08DN8TA |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 50V |
| Leistung max | 1.25W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
Auf Lager: 5000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Auf Lager: 106000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Auf Lager: 0
