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| Numero di parte | ZXMN10A08DN8TA |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 50V |
| Potenza - Max | 1.25W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Disponibile: 3000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
Disponibile: 5000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Disponibile: 106000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Disponibile: 0
