Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ZXMN10A08DN8TA

Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA

Número da peça
ZXMN10A08DN8TA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça ZXMN10A08DN8TA
Status da Parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 50V
Power - Max 1.25W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SOP
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