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| Numero di parte | ZXMN10A08GTA |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 3.2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
Disponibile: 19000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Disponibile: 3000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
Disponibile: 5000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Disponibile: 106000
