Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples ZXMN10A08GTA

Diodes Incorporated ZXMN10A08GTA

Numéro d'article
ZXMN10A08GTA
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article ZXMN10A08GTA
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 3.2A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-223
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA
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