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| Numero de parte | ZXMN10A08GTA |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-223 |
| Paquete / caja | TO-261-4, TO-261AA |
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
En stock: 19000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
En stock: 3000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
En stock: 5000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
En stock: 106000
